台媒：DRAM和NAND闪存供应过剩状况改善

据电子时报报道，业内观察人士表示，DRAM和NAND闪存的过剩情况自第三季度以来已大幅改善，供应过剩率最早可能在第四季度转为负值。

观察人士表示，市场供应过剩的改善是三星和美光等主要行业参与者限产的结果。芯片价格即将见底，但上涨速度仍取决于需求。

观察人士称，7月份8GB DDR4（1Gbx8）芯片和8GB DDR4模块的合同价格均下降了1.5%，但16GB DDR5模块的合同价格上涨了3-4%。

观察人士表示，人工智能服务器最近增加了对高带宽内存（HBM）的需求。在工艺转型或人工智能服务器推动更高的SSD需求时，DRAM将被主要内存制造商消化。

HBM需求暴增，三星电子、SK海力士等存储半导体企业正在推动HBM产线的扩张。两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元，使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。

有韩媒报道称，HBM正在解冻存储器半导体市场。虽然三星和SK海力士尚未透露具体的HBM价格，但据悉最新第4代产品HBM3的价格约为最新传统DRAM的5-6倍。这就是今年HBM出货量仅占DRAM总出货量的1.7%，但其销售额比例却达到了11%的原因。